Контрольна робота з предмету «Комп’ютерна техніка та програмування»

4. Котушка (індуктивність).

5. Трансформатор з можливістю редагування:

• коефіцієнта трансформації;

• індуктивності розсіювання;

• індуктивності первинної обмотки;

• опору первинної обмотки;

• опору вторинної обмотки.

6. Електромагнітне реле.

7. Контакт перемикаючий.

8. Реле часу.

9. Реле напруги.

10. Реле струму.

11. Резистор напруги, один кінець якого підключений до ланцюга Vcc (див. «Джерела живлення»).

12. Потенціометр.

13. Ящик з 8 однакових опорів.

14. Перемикач, керований напругою.

15. Електролітичний конденсатор.

16. Підстроєний конденсатор.

17. Котушка змінної індуктивності.

18. Елемент для побудови моделей індуктивності.

 

Діоди

 

Рисунок 6. Бібліотека діодів.

 

Розділ Діоди містить напівпровідникові діоди, стабілітрони, діністори, тріністори і т. п. (рис. 6) :

1. Напівпровідниковий діод.

2. Стабілітрон.

3. Світлодіод.

4. Випрямний міст.

5. Діод Шоклі.

6. Тиристор.

7. Двоханодного лавинний діод (симетричний динистор).

8. Симістор (симетричний триністор).

 

Транзистори

Група Transistors містить біполярні і польові транзистори (рис. 7) :

 

Рисунок 7. Група Transistors.

 

1) біполярні n-p-n транзистори;

2) біполярні p-n-p-транзистори;

3) n-канальний з керуючим p-n-переходом;

4) p-канальний з керуючим p-n-переходом;

5) трьохелектродний n-канальний з ізольованим затвором;

6) трьохелектродний p-канальний з ізольованим затвором;

7) чотириелектродна n-канальний з ізольованим затвором;

8) чотириелектродна p-канальний з ізольованим затвором;

9) трьохелектродний n-канальний із збагаченим затвором;

10) трьохелектродний p-канальний із збагаченим затвором;

11) чотириелектродна n-канальний із збагаченим затвором;

12) чотириелектродна p-канальний із збагаченим затвором;

13) n-канальний арсенід-галієв польовий транзистор;

14) p-канальний арсенід-галієв польовий транзистор.

 

Аналогові мікросхеми

 

Рисунок 8. Аналогові мікросхеми.

 

У цій бібліотеці представлені різні операційні підсилювачі (рис. 8) :

1. Операційний підсилювач з фіксованим напругою живлення (лінійна модель).

2. Операційний підсилювач із змінним напругою живлення (нелінійна мо- дель).

3. Операційний підсилювач з сімома висновками.

4. Операційний підсилювач з дев’ятьма висновками.

5. Компаратор.

6. Мікросхема для систем автопідстроювання частоти.

 

Вимірювальні прилади

 

Рисунок 9. Бібліотека вимірювальних приладів.

 

У цій бібліотеці представлені різні вимірювальні прилади (рис. 9) :

1. Мультиметр.

2. Функціональний генератор.

3. Осцилограф.

4. Будівник частотних характеристик.

5. Генератор слів.

Бібліотека Miscellaneous

 

Рисунок 10. Бібліотека Miscellaneous.

 

Дана бібліотека містить компоненти змішаного типу (рис. 10) :

1. Запобіжник.

2. Команда запису даних.

3. Генерація списку електричних зав’язків.

4. Кварцовий генератор.

5. Колекторний двигун постійного струму.

6. Електровакуумний тріод.

 

Елементна база

Приведені мінімальні дані про моделі компонентів, що входять в ті чи інші бібліотеки.

Джерела струму

Джерела струму можуть бути представлені у вигляді генератора напруги або генератора струму. Джерела струму діляться на джерела постійного струму, змінного струму і керовані (функціональні) джерела. Крім того, вони поділяються на вимірювальних джерела і джерела для електроживлення.

Джерела постійного струму в EWB

 

Батарея з регулюванням напруги (крізь використання діалогового вікна Властивості).

 

Джерела постійного струму з регулюванням величини струму від μА до кА.

 

З заданою напругою + 5V. Найчастіше призначені для живлення цифрових мікросхем ТТЛ-логіки.

 

З заданою напругою + 15V. Найчастіше призначені для живлення цифрових мікросхем КМОП-логіки.

 

Величина напруги виходу джерела напруги залежить від струму, прикладеного на вході. Два ці параметра зв’язуються коефіцієнтом, названим transresistance (H), – вихідна напруга, поділене на величину вхідного струму. Він може мати будь-яку величину від mW до kW.

 

Величина напруги виходу джерела напруги залежить від напруги, прикладеної на вході. Два ці параметра зв’язуються коефіцієнтом приросту (E) – вихідна напруга, поділене на вхідний напруга. Коефіцієнт приросту може мати будь-яку величину від mV/V до kV/V.

 

Величина вихідного струму залежить від струму вхідного терміналу. Два ці параметра зв’язуються коефіцієнтом приросту (F) – вихідний струм, поділений на вхідний. Коефіцієнт приросту може мати будь-яку величину від mA/A до kA/A.

 

Величина поточного вихідної напруги залежить від

напруги, прикладеної до входу. Два ці параметра зв’язуються коефіцієнтом, названим transconductance (G), – вихідний струм залежить від вхідної напруги. Вимірюється в mhos (так само, як і сіменс) і може мати будь-яку величину від m•mhos до kmhos.

 

Доступ до параметрів джерел живлення здійснюється подвійним натисканням на ліву кнопку миші. При цьому відкривається діалогове вікно (Рис. 11), в якому встановлюються необхідні величини.

 

Рисунок 11. Діалогове вікно установки необхідних параметрів джерела струму.

 

Джерела змінного струму в EWB

 

Джерело змінної напруги (від V до kV) з можливістю вказівки частоти і фазового кута.

 

Джерело змінного струму, у якого користувач може вказати будь-яку величину струму (від μА до кА), а також частоту і фазовий кут.

 

Генератор прямокутних імпульсів з можливістю регулювань амплітуди, частоти

Імпульсів.

 

Пасивні елементи

 

Резистори

 

Складно уявити будь-який виріб електронної техніки без резисторів. У EWB резистори представлені трьома варіантами: постійний, подстроєчний і набором з восьми резисторів.

На рис. П1. 11 показано діалогове вікно установки параметрів підлаштування резистора. У закладці Label встановлюється позиційне позначення R; в закладці Value – Номінальне значення, розбаланс «плечей» (зона Setting) і крок установки зміни значення номіналу (клавішею <R>).

 

Рисунок 12. Діалогове вікно завдання параметрів резистора

 

Конденсатори

 

Аналогічно резисторам конденсатори також широко поширені в електронній техніці. У EWB конденсатори представлені трьома типами: постійні (охоплюють практично всі конденсатори), електролітичні, підстроєчні. Значення ємності для всіх типів може бути встановлено від 10-8 пФ до 108 Ф. Ємність підстрєчного конденсатора може змінюватися натисканням клавіші <З> із заданим кроком (від 1 до 100%). Діалогове вікно завдання параметрів конденсаторів наведено на рис. 13.

 

Рисунок 13. Діалогове вікно завдання параметрів для підлаштування конденсатора.

 

Індуктивні елементи

 

До індуктивним елементів відносяться котушка індуктивності, Підлаштовуємося котушка індуктивності і трансформатор.

Параметри котушок індуктивності і підлаштовувані індуктивності задаються за допомогою діалогових вікон, аналогічних вікнам для резисторів і конденсаторів (використовується клавіша <L>). У діалоговому вікні установки параметрів лінійних трансформаторів задаються (рис. П1. 13) : коефіцієнт трансформації N, індуктивність розсіювання LE, індуктивність первинної обмотки LM, опір первинної (RP) і вторинної (RS) обмоток.

 

Рисунок 14. Діалогове вікно редагування параметрів трансформатора.

 

Доступ до вікна завдання параметрів трансформатора стає можливим після натискання на кнопку Edit діалогового вікна Transformer Properies. При N> 1 трансформатор є знижуючим, в іншому випадку – підвищує.

 

Напівпровідникові діоди

 

Комбінація двох напівпровідникових шарів з різним типом провідності володіє випрямляючих властивостями: вона набагато краще пропускає струм в одному напрямку, ніж в іншому.

 

Питання 3.

 

Створити таблицю в MS Excel за зразком та виконати необхідні розрахунки для S1 та S2. Побудувати графік залежності S1 від N1. Зберегти файл на диск під іменем «Варіант_7».

 

Розрахункові формули:

 

Відповідь.

  

 

1. Інформаційні технології в електроніці. Навчальний посібник / Овчіннікова Н. І. -Запоріжжя, ЗЕТК, 2006

2. Шестопалов Є. А. Excel для початківців. – К. : Аспект, 2000 – 96с.

3. Руденко В. Д. та інші. Практичний курс інформатики/ За ред. В. М. Мадзігона. -К. : Фенікс, 1997-304с.

4. Херхагер М., Пароль X. Полное руководство по Mathcad/Под ред. Н. Ю. Королькова. – К. : Ирина, 2000 – 250с.

5. Інформаційні технології в електроніці. Збірник методичних вказівок до практичних робіт / Овчіннікова Н. І. – Запоріжжя, ЗЕТК, 2006.

6. http: //on-line-teaching. com/IBM-PC/06_Explorer. html

8. http: //lms2. tpu. ru/pluginfile. php/42388/mod_resource/content/0/Additions/PRILOZHENIE1. pdf

7. http: //www. taurion. ru/windows-xp/2/3