Поверхневі процеси, що викликають деградацію спектрометричних характеристик сцинтиляторів NaI(Tl) і CsI(Na)

8. Zaslavsky B. G., Vasetsky S. I., Gres V. Yu., Kudin A. M., Shpilinskaya L. N., Charkina T. A., Kovaleva L. V., Sumarokov S. Yu. Scintillation and Mechanical Properties of CsI (Tl, Br) Crystals Pulled from Melt // Journal of Crystal Growth. – 2001. -V. 222, №4 – P. 751-754. 

9. Кудин А. М., Ананенко А. А., Выдай Ю. Т., Гресь В. Ю., Заславский Б. Г., Зосим Д. И. Сцинтилляционный отклик кристаллов CsI (Tl) и CsI (Na) на возбуждение рентгеновскими и гамма-квантами низких энергий // Вопросы Атомной Науки и Техники, серия: физ. рад. поврежд. и рад. матер. (80). – 2001. – № 4. – С. 111-116. 

10. Спосіб виготовлення сцинтиляційного детектора: Пат. № 98115845, Україна, МКІ G 01 T 1/202 // Гершун О. С., Гресь В. Ю., Кудін О. М., Чаркіна Т. О., Заславський Б. Г. ; Заявл. 03. 11. 1998; Опубл. 15. 03. 2001, Бюл. № 2. – 2 с. 

11. Гресь В. Ю. Универсальный травитель для выявления структуры поликристаллов NaI (Tl) // Тезисы II Российского симпозиума “Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкоплёночных структур”. – Обнинск. – 1997. – С. 115. 

12. Выдай Ю. Т., Гресь В. Ю., Кудин А.. М., Заславский Б. Г., Добротворская М. В. Процессы, приводящие к образованию мертвого слоя в кристаллах NaI (Tl) и CsI (Na) // Труды Междун. конф. “Сцинтилляционные материалы и их применение” (SCINTMATў2000). – Екатеринбург (Россия). – 2000. – С. 31-32. 

13. Выдай Ю. Т., Ананенко А. А., Гресь В. Ю., Кудин А.. М. Влияние состояния поверхности сцинтилляторов на регистрацию слабопроникающих излучений // Вопросы Атомной Науки и Техники. Труды XIV Международной конференции по физике радиационных явлений и радиационному материаловедению. Алушта, 2000. – Харьков. – 2000. – С. 327-328. 

14. Kudin A. M., Gres' V. Yu., Vyday Yu. T., Ananenko A. A., Zosim D. I. The Responce of CsI (Tl) and CsI (Na) to Alpha Particles and Low Energy Gamma Rays // Abstracts VI Inter. Conf. on Inorganic Scintillators and their use in Scientific and Industrial Applications. – Chamonix (France). – 2001. – P. SM-P_11. 

15. Vasetsky S. I., Gershun A. S., Gres V. Yu., Кudin A. M., Mateychenko P. V., Tkachenko V. F. Surface hydration and dehydration processes in NaI (Tl) crystals // Abstracts EMRS-1»Advanced Materials». Symposium B. – Kiev (Ukraine). -1999. – P. 135. 

16. Заславский Б. Г., Васецкий С. И., Кудин А. М., Гресь В. Ю., Трефилова Л. Н., Ковалёва Л. В., Митичкин А. И., Сумароков С. Ю. Автоматизированное вытягивание из расплава кристаллов CsI (Tl, Br) и их сцинтилляционные и механические свойства // Тезисы докладов IХ Национальной конференции по росту кристаллов “НКРК”. – Москва (Россия). – 2000. – С. 606. 

 17. Ананенко А. О., Видай Ю. Т, Гресь В. Ю. Вплив стану поверхні кристалофосфорів на реєстрування малопроникаючих випромінювань // Book of abstracts: Int. Students and Young Scientists Conf. in Theoretical and Experimental Physics “EURICA-2001”. -Lviv (Ukraine). – 2001. – P. 119. 

18. Гресь В. Ю., Ананенко А. А., Сысоева Е. В. Исследование энергетического разрешения и непропорциональности выхода энергии электронов для кристаллов CsI (Na) и CsI (Tl) // Тезисы докладов первой региональной конференции молодых учёных “Современные проблемы материаловедения”. – Харьков. – 2002. – С. 53. 

 

 

Гресь В. Ю. Поверхневі процеси, що викликають деградацію спектрометричних характеристик сцинтиляторів NaІ (Tl) і CsІ (Na). – Рукопис. 

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05. 02. 01 – матеріалознавство. – Інститут монокристалів НТК “Інститут монокристалів” НАН України, Харків, 2002. 

Дисертаційна робота присвячена вивченню деградації спектрометричних характеристик кристалів NaI (Tl) і CsI (Na) у взаємозв'язку з перебігом фізико-хімічних процесів поблизу їх вільної поверхні. Для NaІ (Tl) важливе значення мають процеси гідратації, дегідратації і перекристалізації основної речовини. Відображенням цих процесів є або утворення тільки мертвого шару (що характеризується зниженням виходу сцинтиляцій h поблизу поверхні), або це явище у поєднанні з деградацією об'ємних характеристик. Запропоновано методику контролю працездатності детектора в процесі експлуатації, в основі якої зміна спектрів люмінесценції, а також спосіб виготовлення детектора з ефективним дифузійним відбивачем. Для кристалів CsI (Na) виявлене збільшення значення h поблизу поверхні відразу після полірування. Ця особливість повўязана з утворенням дивакансій, що є додатковими центрами свічення в CsI (Na) і легко виникають при ковзанні дислокацій внаслідок поверхневої обробки кристалу. Процес формування МШ поступовий і відбувається у дві стадії. На першій відбувається розпад пересиченого розчину вакансій, на другій – розпад твердого розчину активатора. Виявлена кореляція між енергетичним розділенням детекторів і нелінійністю виходу відносно енергії h (E) в межах 5, 9-60 кеВ. Характер залежності h (E) є результатом скорочення тривалості сцинтиляцій зі зменшенням E та негативного впливу МШ. Запропоновано підхід до розв'язання проблеми обмеження власного розділення. Такій підхід дає можливість поліпшення розділення шляхом керування