Портал образовательно-информационных услуг «Студенческая консультация»

  
Телефон +3 8(066) 185-39-18
Телефон +3 8(093) 202-63-01
 (093) 202-63-01
 studscon@gmail.com
 facebook.com/studcons

<script>

  (function(i,s,o,g,r,a,m){i['GoogleAnalyticsObject']=r;i[r]=i[r]||function(){

  (i[r].q=i[r].q||[]).push(arguments)},i[r].l=1*new Date();a=s.createElement(o),

  m=s.getElementsByTagName(o)[0];a.async=1;a.src=g;m.parentNode.insertBefore(a,m)

  })(window,document,'script','//www.google-analytics.com/analytics.js','ga');

 

  ga('create', 'UA-53007750-1', 'auto');

  ga('send', 'pageview');

 

</script>

Квазіодновимірні електронні системи над рідким гелієм

Предмет: 
Тип работы: 
Автореферат
К-во страниц: 
21
Язык: 
Українська
Оценка: 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ФІЗИКО-ТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР ім. Б. І. Вєркіна
 
ГЛАДЧЕНКО Сергій Павлович
 
УДК 536. 48
 
КВАЗІОДНОВИМІРНІ ЕЛЕКТРОННІ СИСТЕМИ НАД РІДКИМ ГЕЛІЄМ
 
01. 04. 09 – Фізика низьких температур
 
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук
 
Харків – 2002 р.
 
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Фізико-технічному інституті низьких температур ім. Б. І. Вєркіна НАН України, м. Харків.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Ковдря Юрій Захарович (ФТІНТ НАНУ, відділ квантових рідин і кристалів, провідний науковий співробітник).
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Шевченко Сергій Іванович (ФТІНТ НАНУ, відділ теоретичної фізики, провідний науковий співробітник) кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Карнацевич Леонід Владиславович (Національний науковий центр “Харківський фізико-технічний інститут”, завідуючий лабораторією).
Провідна установа: Харківський Національний Університет ім. В. Н. Каразіна МОН України.
Захист відбудеться “12” березня 2002 р. о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64. 175. 02 при Фізико-технічному інституті низьких температур ім. Б. І. Вєркіна НАН України (61103, м. Харків, пр. Леніна, 47).
 
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
 
Актуальність теми дисертації обумовлена інтересом який існує, у даний час, до низьковимірних зарядових систем. Зменшення розмірності системи дозволяє досліджувати не тільки характеристики знову отриманих структур, але також визначати фізичні параметри, що іншими методами одержати досить складно. Яскравим прикладом цьому може служити визначення електронної маси, в експериментах по дослідженню циклотронного резонансу в системі поверхневих електронів.
До даного моменту відома досить велика кількість систем, у яких тим чи іншим чином можна здійснити зменшення розмірності. Перехід від тривимірної до двовимірної системи раніше був здійснений у напівпровідниках з використанням інверсних шарів, у гетероструктурах і т. і. Кожний з наведених прикладів має свої достоїнства і недоліки. Однак найбільшою привабливістю, з погляду якості отриманої низьковимірної системи, її експериментального вивчення і теоретичного опису, є система електронів, локалізованих над поверхнею рідкого гелію. Завдяки її винятковій чистоті, а також відомому характеру взаємодії носіїв з розсіювачами, така система є прекрасною моделлю для вивчення властивостей електронів в умовах обмеженої геометрії.
Іншим аспектом, який обумовлює інтерес до цієї системи, є виникнення останнім часом ідеї використання поверхневих електронів для технічного застосування, зокрема для створення квантового комп'ютера. Розрахунки показують, що в цьому сенсі низьковимірна електронна система над рідким гелієм найбільш перспективна в порівнянні з іншими запропонованими структурами. Одновимірні і квазіодновимірні електронні системи, досліджені в даній роботі можуть бути використані як модель для аналізу можливості створення елементів для квантових комп'ютерів.
Зв'язок роботи з науковими програмами. Дисертаційна робота виконана у відділі Квантових рідин і кристалів у рамках тематичного плану ФТІНТ НАН України по темі: ”Дослідження квантових об'ємних і поверхневих явищ у рідкому і твердому гелії” (№ держ. реєстру 0195U009877). У роботі створена експериментальна база і проведені дослідження одновимірної електронної системи над рідким гелієм. Робота відповідає спеціальності 01. 04. 09 – фізика низьких температур.
Мета роботи:
• Реалізація одновимірної електронної системи над рідким гелієм;
• Проведення вимірів кінетичних властивостей носіїв у даній системі і порівняння отриманих результатів з наявними теоретичними передбаченнями;
• Дослідження транспорту носіїв в квазіодновимірній електронній системі над рідким гелієм в магнітному полі;
Об'єктом дослідження є система поверхневих електронів.
Предмет дослідження – транспортні властивості носіїв в одновимірній електронній системі над рідким гелієм.
Наукова новизна представленої роботи полягає в створенні та експериментальному дослідженні електронної системи над рідким гелієм близької до одновимірної. Розроблена та апробована методика виміру і розрахунку кінетичних характеристик носіїв у такій системі. Проведені виміри електронної рухливості в одновимірній системі показали істотну залежність даної характеристики від якості поверхні підкладки і величини заряду на ній, особливо в області електрон – риплонного розсіювання. Дослідження електронного транспорту в магнітному полі виявили цікаві особливості в поведінці носіїв при переході від режиму газового розсіювання до режиму розсіювання електронів на риплонах. В області газового розсіювання спостерігалися ефекти слабкої локалізації, які за своєю величиною значно перевищують, аналогічні ефекти, виявлені раніше для двовимірних систем поверхневих електронів. Для області електрон – риплонного розсіювання даних ефектів виявлено не було, однак знайдено, що перенос носіїв у квантовому режимі також відмінний від характерного для двовимірної системи.
Наукова і практична цінність роботи складається в створенні і дослідженні електронної системи над рідким гелієм близької до одновимірної, розробці методики виміру й обчислення параметрів даної системи. Отримані експериментальні дані можуть бути цікаві в аспекті розуміння поводження носіїв у низьковимірних системах, а також проведення порівняльного аналізу характеристик одновимірних систем з суто кулонівською взаємодією носіїв і фермієвських систем, реалізованих в інверсійних прошарках у напівпровідниках.
Апробація результатів проходила на таких конференціях:
• QFS-98, Quantum Fluids and Solids, 1998, University of Massachusets, Amhert, USA;
• XXII International Conference on Low Temperature Physics, 1999, Helsinki, Finland;
• 18th General Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, 2000, Montreux, Switzerland;
• НТ-32, Всеросийское Совещание
CAPTCHA на основе изображений