Модулі оперативної пам’яті. Контроль та корекція помилок

Тепер ми докладніше зупинимося на особливостях розглянутих нами модулів пам'яті. І в першу чергу слід звернути увагу на так звані ключі.

Під ключем на модулі пам'яті розуміють виріз в модулі, який в поєднанні з відповідним виступом в роз'ємі, в який модуль встановлюється, виконує одну з двох (або обидві) функцій:

* не дозволяє встановити симетричний модуль пам'яті «навпаки»;

* запобігає використовуванню в системі модуля, що не відповідає параметрам системи (скажімо, по робочій напрузі).

Розглянемо детальніше типи ключів, що застосовуються в SIMM і DIMM:

* SIMM 30 має виріз із сторони 1-го контакту і слугує для правильної орієнтації модуля.

 

* SIMM 72- аналогічний виріз з боку 1-го контакту, а також виріз посередині між 36-м і 37-м контактами.

 

* DIMM 168 – 2 вирізи «всередині гребінки» – між 10 і 11 та між 40 і 41 контактами. Ці вирізи можуть бути злегка зміщений по горизонталі, цей зсув вказує на буферизацію і напругу живлення.

 

Найцікавішим представляється розглянути модуль DIMM, оскільки саме для нього можливі різні положення ключів. Як вже наголошувалося, модуль має 2 ключі. Один з них знаходиться майже посередині модуля, інший – ближче до 1-го контакту. Припустимо, що ви тримаєте DIMM перед собою контактами вниз і 1-й пін знаходиться зліва, тоді лівий ключ (ближче до краю) відповідає за буферизацію, а середній – за напругу. Якщо придивитися до проміжків в контактній лінійці, в яких розташовані ключі, то видно, що їх ширина приблизно втричі більше ширини ключа. Кожний ключ, таким чином, має 3 позиції (реально використовуються 2) – середня, а також права і ліва.

* Середній ключ в лівій позиції відповідає 5В модулю, в середній – 3. 3В.

Що таке буферизуючий модуль? Для чого потрібна буферизація?

Як нам вже відомо, в мікросхемах DRAM елементом, в якому зберігається інформація, є конденсатор. Як наслідок, одночасно з інформаційною ємністю модулів пам'яті зростає і ємність електрична. Тим, хто знайомий з теорією електричних ланцюгів, відомо також, що постійна часу (грубо кажучи, час зарядки) конденсатора прямопропорційна ємності. В результаті, у міру зростання ємності модулів пам'яті їм потребується все більше часу, щоб сприйняти сигнал від контролера. Відповідно, якщо нарощувати ємність модулів пам'яті при існуючому контролері, рано чи пізно «запізнювання» модуля досягне такого значення, що нормальна спільна робота двох пристроїв стане неможливою.

Проблема була усвідомлена приблизно до моменту появи 168-контактних DIMM, і при розробці контролерів для систем з цими модулями було запропоновано наступне рішення – контролер спілкується з пам’яттю не напряму, а через мікросхему, іменовану буфером, яка сама по собі має низьку ємність, і, відповідно, здатна миттєво приймати сигнал від контролера, звільняючи системну шину. Подальша зарядка елементів DRAM йде вже без участі контролера. Сам по собі буфер є додатковою мікросхемою, розміри якої, у принципі, можуть бути різними, але звичайно меншими ніж чіпи пам'яті.

Проте перш, ніж 168-контактні DIMM міцно увійшли до побуту, відбулася ще одна подія – з'явилися і стали доступними мікросхеми з робочою напругою 3. 3В, а не 5В. Все та ж теорія свідчить, що час зарядки конденсатора пропорційний також і напрузі, таким чином, зниження напруги дещо зняло гостроту проблеми.

 

 

Як маркіруються сучасні модулі пам'яті? Тут все дуже просто. Модулі DIMM SDRAM маркіруються таким чином: PCxxx, де ххх – частота, на якій сертифікований працювати модуль (можливо що чіпи, складові модуля, можуть працювати і на більш високих частотах). Відповідно, існує всього 3 специфікації DIMM SDRAM:

PC66 – DIMM SDRAM, призначений для роботи на частоті, що не перевищує 66 Мгц;

PC100 – DIMM SDRAM, призначений для роботи на частоті, що не перевищує 100 Мгц;

PC133 – DIMM SDRAM, призначений для роботи на частоті, що не перевищує 133 Мгц.

Природно модулі, призначені для більш високих частот, можуть без проблем застосовуватися і на низьких частотах.

Модулі DIMM DDR SDRAM маркіруються таким чином: PCxxxx, де хxхх – пропускна здатність пам'яті, яка може бути забезпечена, при застосуванні даного модуля:

PC1600 – DIMM DDR SDRAM, призначений для роботи на частоті, що не перевищує 100 Мгц (саме при такій частоті модуль DDR SDRAM забезпечує пропускну здатність 1600 Мбайт/с) ;

PC2100 – DIMM DDR SDRAM, призначений для роботи на частоті, що не перевищує 133 Мгц (саме при такій частоті модуль DDR SDRAM забезпечує пропускну здатність 2100 Мбайт/с)

Модулі RIMM з пам'яттю типу DR DRAM маркіруються робочою частотою: PC600, PC700, PC800 – модулі RIMM DR DRAM, що працюють на частотах відповідно 600, 700 і 800 Мгц, і мають пропускну спроможність відповідно: 1200 Мбайт/с, 1400 Мбайт/с, 1600 Мбайт/с.

 

 

Нам слід розібрати ще