Оптимізація технології і моделювання фізичних процесів у тонких плівках aivbvi та структурах на їх основі

 

 

1. Фреик Д. М., Собкович Р. И., Лопянка М. А., Прокопив В. В., Перкатюк И. И. Методы математического планирования эксперимента и физического моделирования пленок халькогенидов свинца// Заводская лаборатория. – 1991. – №1. – С. 70-72.

2. Фреик Д. М., Лопянка М. А., Прокопив В. В., Воропай В. А. Использование методов планирования эксперимента при исследовании свойств пленок// Заводская лаборатория. – 1987. – №7. – С. 84-85.

3. Фреик Д. М., Лопянка М. А., Овчар И. Е. Исследование свойств и оптимизация способа получения пленок теллурида свинца методом математического планирования// Заводская лаборатория. – 1985. – №4. – С. 57-58.

4. Фреик Д. М., Рувинский М. А., Лопянка М. А., Прокопив В. В. Оптимизация технологии эпитаксиальных слоев твердых растворов теллурид свинца – селенид свинца методом математического планирования эксперимента// Заводская лаборатория. – 1985. – №5. – С. 60-62.

5. Фреик Д. М., Лопянка М. А., Прокопив В. В., Борик Л. И., Галущак М. А. Математическое планирование и оптимизация получения пленок SnTe-PbTe методом гарячей стенки// Физическая электроника. Респуб. межвед. научн. -техн. сб. – Львов. – 1985. – Вып. 31. – С. 75-78.

6. Фреїк Д. М., Шепетюк В. А., Запухляк P. І., Лоп'янка М. А. Оптимізація термоелектричних властивостей тонких плівок PbSe на поліаміді// Оптоелектроніка і напівпровідникова техніка. – 1997- Вип. 32. – С. 99-102.

7. Фреик Д. М., Лопянка М. А., Павлюк М. Ф., Чобанюк В. М. Зависимость свойств пленок теллурида свинца от условий выращивания из паровой фазы// Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1988. – Т. 22. – №8. – С. 930-933.

8. Фреик A. M., Воропай В. А., Лопянка М. А., Павлюк М. Ф., Прокопив В. В. Электрические свойства пленок PbSe на полиамидной подложке// Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1987. – Т. 23. – №8. – С. 1261-1264.

9. Фреик Д. М., Павлюк М. Ф., Школьный А. К., Прокопив В. В., Огородник Я. В., Лопянка М. А. Пленки системы PbTe-SnSe// Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1990. – Т. 28. – №2. – С. 284-289.

10. Фреик Д. М., Собкович P. И., Прокопив В. В., Лопянка М. А., Рошкевич А. В. Дефектообразование в пленках PbSe при выращивании из паровой фазы с участием кислорода// Изв. РАН. Неорган. материалы. – 1994. – Т. 30. – №2. – С. 1-2.

11. Фреїк Д. М., Возняк О. М., Салій Я. П., Матеїк Г. Д., Лопянка М. А., Ліщинський І. M. Генераційно-рекомбінаційний механізм утворення і зарядовий стан радіаційних дефектів у шарах PbSe// Український Фізичний Журнал. – 1995. – Т. 40. – Вип. 8. – С. 746-749.

12. Собкович Р. І., Лисак А. В., Лоп'янка М. А., Межиловська Л. Й., Михайльонка Р. Я. Оптимізація термоелектричних властивостей тонких плівок сполук AIVBVI з використанням методів математичного планування експерименту// Фізика і хімія твердих тіл. Вісник Івано-Франківського крайового відділення УФТ та Прикарпатського університету. – 1999. – № 7. – С. 102-111.

13. Лоп'янка М. А., Перкатюк І. Й., Матеїк Г. Д., Кирста С. Д., Козич О. В. Математичне планування, квазіхімічні реакції та їх константи рівноваги при вирощуванні тонких плівок PbTe з парової фази// Фізика і хімія твердих тіл. Вісник Івано-Франківського крайового відділення УФТ та Прикарпатського університету. – 1995. – № 3. – С. 77-85.

14. Фреїк Д. М., Чобанюк В. М., Собкович P. І., Салій Я. П, Лопянка М. А., Добровольська Г. М. Моделювання ізохронного ізотермічного відпалів радіаційних дефектів у бінарних сполуках AIVBVI// Фізіка і хімія твердих тіл. Вісник Івано-Франківського крайового відділення УФТ та Прикарпатського університету. – 1994. – №2. – С. 13-24.

15. Салій Я. П., Возняк О. М., Перкатюк І. Й., Лопянка М. А., Ліщинський І. М. Моделювання і ідентифікація точкових дефектів у сполуках AIVBVI структурного типу NaCI// В кн. : Фізика і технологія тонких плівок. Тез. доп. V Міжн. конф. Івано-Франківськ. – 1995. – С. 160.

16. Чобанюк В. М., Лоп'янка М. А., Добровольська Г. М., Белей M. I., Шепетюк В. А. Особливості вольт-фарадних характеристик діодів Шотткі Pb (ln) -p-PbSe-Sn з інверсійною n-областю// В кн. : Техника й физика электронных систем и устройств. Тез. докл. Суми. – 1995. – С. 272.

17. Лоп'янка М. А. Моделювання профілю розподілу концентрації домішок при розрахунку вольт-ємнісних характеристик діодів Шотткі на основі селеніду свинцю// В кн. : Фізика і технологія тонких плівок. Тез. доп. IV Міжн. конф. Івано-Франківськ. – 1993. – Ч. ІІ. – С. 218.

18. Чобанюк В. М., Остапчук A. I., Добровольська Г. М., Лоп'янка М. А., Шепетюк В. А., Федорак І. Я. Механізм проходження струму в бар'єрах Шотткі на основі епітаксійних шарів p-PbSe// В кн. : Фізика і технологія тонких плівок. Тез. доп. V Міжн. конф. Івано-Франківськ. – 1995. – С. 208.

19. Чобанюк В. М., Лоп'янка М. А., Шепетюк В. А., Белей M. I. Параметри діодних структур на основі епітаксійних плівок халькогенідів свинцю// In Buk: Physics and Technology of Thin Films. – V. I. VI International conference. – lvano-Frankivsk- 1997. – P. 158.

20. Лоп'янка М. А. Математичне планування технології вирощування, моделювання фізичних процесів у тонких плівках халькогенідів свинцю та структурах на їх основі// In Buk: Physics and Technology of Thin Films. VII International conference. – lvano-Frankivsk. – 1999. – P. 41.

 

 

Лоп'янка M. A. Оптимізація технології і моделювання фізичних процесів у тонких плівках АIVВVI та структурах на їх основі. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01. 04. 18 – фізика і хімія поверхні. Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, 1999.

Дисертацію присвячено з'ясуванню впливу операційних технологічних факторів на фізичні властивості тонких плівок монохалькогенідів свинцю, олова і твердих розчинів на їх основі: PbSe1-XTeX, PbXSn1-XTe, (SnSe) 1-X (PbTe) X,

(SnTe) 1-X (PbSe) X (вирощених з парової фази методом гарячої стінки). Одержані поліноміальні рівняння, побудовані технологічні діаграми і оптимізована технологія забезпечують умови вирощування тонкоплівкового матеріалу із наперед заданими властивостями.

Процеси вирощування, радіаційної і термічної обробок епітаксійних плівок описано єдиною моделлю френкелівських пар і рівнянням неперервності для концентрації дефектів. На основі моделі існування виродженої області з n-типом на поверхні p-PbSe проведено розрахунок вольт-фарадних характеристик діодів Шотткі.

Ключові слова: тонкі плівки, монохалькогеніди свинцю і олова, тверді розчини, методи математичного планування, оптимізація технології, гаряча стінка, радіаційні дефекти, діоди Шотткі.

 

 

Лопянка M. A. Оптимизация технологии и моделирование физических процессов в тонких пленках АIVВVI и структурах на их основе. – Рукопись.

Диссертация на соискание научной степени кандидата физико-математических наук за специальностью 01. 04. 18 – физика и химия поверхности. Прикарпатский университет имени Василия Стефаника, Ивано-Франковск, 1999.

В диссертации к защите представлены результаты исследований, изложенные в 20 научных публикациях. Работа посвящена изучению влияния операционных технологических факторов выращивания из паровой фази методом горячей стенки на физические свойства тонких пленок монохалькогенидов свинца, олова и твердых растворов на их основе: PbSe1-XTeX, PbXSn1-XTe, (SnSe) 1-X (PbTe) X,

(SnTe) 1-X (PbSe) X. Методами математического планирования и оптимизации многофакторного эксперимента получены уравнения, описывающие зависимость электрических свойств пленок от температур испарения (ТИ), осаждения (ТП), стенок камеры (ТС) и химического состава (х). Предложены и построены технологические диаграммы и оптимизирована технология, которые обеспечивают выращивание тонкопленочного материала с наперед заданными параметрами.

Предложена физико-химическая модель процесса выращивания тонких слоев АIVВVI из паровой фазы. На основании генерационно-рекомбинационного механизма дефектообразования объяснены дозированые зависимости концентраций носителей заряда в эпитаксиальных слоях при облучении альфа-частицами. Предложен диффузионно-рекомбинационный механизм отжига собственных дефектов и определены их энергии активации.

В предположении существования инверсионной n-области на поверхности полупроводника дырочной проводимости описаны вольт-фарадные характеристики диодных структур на основе эпитаксиальных слоев АIVВVI.

Ключевые слова: тонкие слои, монохалькогениды свинца и олова, твердые растворы, методы математического планирования эксперимента, оптимизация технологии, горячая стенка, радиационные дефекты, диоды Шоттки.

 

 

Lopyanka М. А. Optimization of technology and simulation of physical processes in thin films АIVВVI and frames on their basis. – Manuscript.

A thesis on competition of a scientific degree of the candidate of physical and mathematical sciences behind a speciality 01. 04. 18 – physics and chemistry of a surface. The Precarpathian university named after Vasyl Stefanyk, lvano-Frankivsk, 1999.

A thesis is dedicated to study of effect of operational technology factors of growing from a vapour phase on physical properties of thin films of monochalcogenide of lead, tin and solid solutions on their basis: PbSe1-XTeX, PbXSn1-XTe, (SnSe) 1-X (PbTe) X,

(SnTe) 1-X (PbSe) X by a method of a hot-wall. Are offered both the technological diagrams are constructed and the technology is optimized, which one ensure cultivation of a thin-film material with beforehand given parameters.

The physicochemical model of process of growing of films АIVВVI from a vapour phase is offered. On the basis of the generative – recombinational mechanism of a radiation defect formation the dosed dependences of concentrations of charge carriers in acting epilayers are explained at an exposure by alpha-particles.

Keywords: laminas, monochalcogenide of lead and tin, solid solutions, methods of mathematical planning of experiment, optimization of technology, hot-wall, radiation defects, Schotticy diodes.