Структура та фізичні властивості кремнійових композицій з розупорядкованими шарами

 

 

1.Вперше проведено аналіз розвитку пороутворення в структурах з неоднорідним розподілом легуючих домішок, який показав, що лінійність кінетики утворення пор спостерігається тільки до рівня легування Nmax/5. Далі лінійна залежність переходить до параболічної, що пов’язано із більш суттєвою зміною концентрації дірок, які відповідають за активацію процесу пороутворення.

2.Виявлено, що щільність та товщина плівок пористого кремнію суттєво впливають на процеси перерозподілу дефектів та легуючих домішок у кремнійових епітаксійних структурах. Плівки пористого кремнію із густиною 1, 54-1, 62 г/cм3 та товщиною 2, 5 мкм можуть сприяти гальмуванню процесів твердотілої дифузії легуючих домішок із сильнолегованих у слаболеговані шари та виявляють гетеруючі властивості до точкових дефектів та швидко дифундуючих домішок в епітаксійних структурах.

3.Проведено статистичне моделювання вольтамперних характеристик фотоелектричних перетворювачів із структурою напівпровідник – діелектрик – напівпровідник. Вперше для таких багатофазних структур, як InxSnyO/SiO2/nSi/n+Si та InxSnyO/SiO2/porSi/nSi/n+Si за підсумками кореляційного та регресивного аналізу розраховані коефіцієнти темнових вольтамперних характеристик і детермінації.

4.Вперше досліджено процеси створення багатофазних композицій типу InxSnyAlzO/SiO2/porSi/nSi/n+Si, досліджено електрофізичні та спектральні характеристики фотоелектричних перетворювачів, створених на їх засаді. Встановлено, що використання алюмінію та плівок пористого кремнію, сприяють поліпшенню Uхх, Ікз, коефіцієнту корисної дії та фактору заповнення вольтамперної характеристики фотоелектричних перетворювачів.

5.Проведено розрахунок пружних напруг у розупорядкованих структурах кремнію, створених за допомогою локальної іонної імплантації аргону та встановлено їх відповідна кореляція з параметрами імплантації. Властивості гетерування дефектів знаходиться в діапазоні доз імплантації від 1015см-3 до 5*1018 см-3.

6.Розроблено регламенти створення базового елементу інтегральної електроніки – епітаксійно-планарного транзистору та базового елементу фотоелектроніки – фотоелектричний перетворювач. Експериментально доведено, що використання багатошарових композицій значно підвищує якості електричних приладів.

 

1.Жолудев Г. К., Хрипко С. Л. Исследование геттерирования в кремниевых транзисторных структурах// Микроэлектроника. -1996. -Т. 25. -№6. -С. 436-441.

2.Хрипко С. Л., Коломоец Г. П., Левинзон Д. И., Исследование электрофизических и оптических характеристик ITO/nSi/n+Si фотопреобразователей с различной структурой поверхности кремния// Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. -1998. -Т. 41. -№11. -С. 67-72.

3.Хрипко С. Л. Исследование структуры слоев пористого кремния методом просвечивающей микроскопии// Вісник Запорізького державного університету: Збірник наукових статей. Фізико-математичні науки. -Запоріжжя, 1999. -№1. -С. 154-157.

4.Хрипко С. Л, Левинзон Д. И., Коломоець Г. П. Экспериментальные исследования свойств пористого кремния// Состояние, проблемы и направления развития производства цветных металлов в Украине. Сб. научн. труд. -Запорожье,. 1997. -С. 346-352.

5.Коломоец Г. П., Приходько А. В., Хрипко С. Л., Шухина И. Е. Вплив структури і механічних властивостей полікристалічного кремнію на короблення КСДІ// Вісник Чернігівського технологічного інституту: Збірник. -Чернігів, 1997. -№4. -С. 145-152.

6.Левинзон Д. И., Жолудев Г. К., Хрипко С. Л., Приходько А. В. Дослідження електричних параметрів фотоперетворювачів виготовлених на текстурованих поверхнях// The first international conference on material science of chalcogenide and diamond-structure semiconductors. New device applications  (СMSCDSS-94). -Chernivtsi, 1994. -Vol. II. -С. 218.

7.Levinson D. I., Zholudev G. K., Khripko S. L. Investigating defects under aluminum films// Proceeding IX Russian Symposium on scanning electron and analytical methods of solids investigations. SEM characterization of semiconductor materials and structures  (REM-95). -Chernogolovka, 1995. -С. 38-39.

8.Левинзон Д. И., Жолудев Г. К., Хрипко С. Л., Дослідження структури з прихованими ізолюючими шарами// Матеріали V Міжнародній конференції з фізики і технології тонких плівок. -Івано-Франківськ, 1995. -С. 41.

9.Левинзон Д. И., Жолудев Г. К., Хрипко С. Л., Вплив складу ITO шарів на параметри фотоперетворювачів// Матеріали V Міжнародній конференції з фізики і технології тонких плівок. – Івано-Франківськ, 1995. -С. 77.

10.Жолудев Г. К., Хрипко С. Л., Фоменко О. В. Исследование электрических характеристик БИС с применением пористого кремния// Тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции. Физика твердого тела. -Томск, 1996. -С. 69-70.

11.Левинзон Д. И., Жолудев Г. К., Хрипко С. Л. Геттерирование в кремниевых пластинах пленочными покрытиями// Тезисы докладов Первой Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния “Кремний-96”. – М., 1996. -С. 256.

12.Левинзон Д. И., Жолудев Г. К., Хрипко С. Л. Комбинированное геттерирование в кремниевых монокристаллических структурах// Тезисы докладов Первой Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния “Кремний-96”. – М., 1996. -С. 257.

13.Левинзон Д. И., Жолудев Г. К., Хрипко С. Л. Структурное геттерирование в кремниевых монокристаллических структурах// Тезисы докладов Первой Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния “Кремний-96”. – М., 1996. -С. 258.

14.Левинзон Д. И., Жолудев Г. К., Хрипко С. Л. Планарное геттерирование в кремниевых монокристаллических структурах// Тезисы докладов Первой Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния “Кремний-96”. – М., 1996. -С. 259.

15.Левинзон Д. И., Жолудев Г. К., Хрипко С. Л. Лабораторная установка для получения пленок пористого кремния// Тезисы докладов Первой Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния “Кремний-96”. – М., 1996. -С. 277.

16.Khripko S. L., Levinzon D. I., Zholudev G. K. Properties and