Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій

Kornich G. V., Betz G. Calculation of marker distortion at elevated temperatures under low energy ion bombardment // Nucl. Instr. and Meth. B. – 1997. – Vol. 129, N4. – P. 459 – 464.

Корнич Г. В., Бетц Г. Молекулярно-динамическое моделирование смещений атомов в монокристаллах Ni, Al и двухслойном кристалле Al/Ni при низкоэнергетической ионной бомбардировке // Известия АН. Серия физическая. – 1998. – Т. 62, N7. – С. 1401 – 1409.

Kornich G. V., Betz G. MD simulation of atomic displacements in pure metals and metallic bilayers during low energy ion bombardment at 0 K // Nucl. Instr. and Meth. B. – 1998. – Vol. 143, N4. – P. 455 – 472.

Корнич Г. В. Моделирование вклада столкновительной стадии атомных каскадов в низкоэнергетическое ионное перемешивание // Металлофизика и Новейшие Технологии. – 1998. – Т. 20, N10. – С. 76 – 80.

Kornich G. V., Betz G., Bazhin A. I. Simulation of mass transport processes in a high temperature Ni crystal under low energy ion bombardment // Nucl. Instr. and Meth. B. – 1999. – Vol. 152, N4. – P. 437 – 448.

Kornich G. V., Betz G., Bazhin A. I. MD simulation of atomic displacements in metals and metallic bilayers under low energy ion bombardment at 300 K // Nucl. Instr. and Meth. B. – 1999. – Vol. 153, N1-4. – P. 383 – 390.

Корнич Г. В. О выборе потенциала при моделировании вклада столкновительной стадии низкоэнергетических атомных каскадов в ионное перемешивание // Металлофизика и Новейшие Технологии. – 1999. – Т. 21, N7. – C. 33 – 37.

Корнич Г. В. Двухмерное молекулярно-динамическое моделирование вклада столкновительной стадии низкоэнергетических каскадов в ионное перемешивание // Поверхность. – 2000. – N3. – С. 90 – 92.

Корнич Г. В., Бетц Г., Бажин А. И. Моделирование ионно-индуцированных атомных каскадов столкновений вблизи порога распыления // Металлофизика и Новейшие Технологии. – 2000. – Т. 22, N9. – С. 53 – 60.

Корнич Г. В., Бетц Г., Бажин А. И. Моделирование перемещений атомов при бомбардировке меди ионами Ar и Xe с энергиями близкими к порогу распыления // Известия вузов. Физика. – 2000. – Т. 43. – N10. – С. 59 – 66.

Корніч Г. В., Бетц Г. Моделювання температурної залежності переміщень атомів в каскадах зіткнень // Український Фізичний Журнал. – 2000. – Т. 45, N10. – С. 1244 – 1245.

Корнич Г. В., Бетц Г., Бажин А. И. Об образовании дефектов в двухслойном кристалле Al/Ni под действием бомбардирующих ионов с близкими к порогу распыления энергиями // Письма в Журнал Технической Физики. – 2000. – Т. 26, Вып. 10. – С. 60 – 65.

Корнич Г. В., Бетц Г., Бажин А. И. О перемещениях атомов в двухслойной системе Al/Ni под действием бомбардирующих ионов с близкими к порогу распыления энергиями // Письма в Журнал Технической Физики. – 2000. – Т. 26, Вып. 9. – С. 31 – 35.

Корнич Г. В., Бетц Г., Бажин А. И. Моделирование низкоэнергетического ионного перемешивания примесного слоя алюминия в никеле // Поверхность. – 2000. – N10. – С. 32 – 37.

Корнич Г. В., Бетц Г., Бажин А. И. Двухэтапное моделирование ионного перемешивания примесных профилей низкой концентрации // Известия Академии Наук. Серия физическая. – 2000. – Т. 64, N4. – С. 709 – 715.

Корнич Г. В., Бетц Г., Бажин А. И. Молекулярно – динамическое моделирование образования дефектов в кристалле алюминия при бомбардировке ионами низких энергий //Физика Твердого Тела. – 2001. – Т. 43, Вып. 1. – С. 30 – 34.

Kornich G. V., Betz G., Bazhin A. I. Molecular dynamics simulation of mass transport processes in a Ni crystal with Al atoms as impurity under low energy ion bombardment // Nucl. Instr. and Meth. B. – 2001. – Vol. 173, N4. – P. 417-426.

 

 

Корніч Г. В. Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01. 04. 07 – Фізика твердого тіла. -Донецький фізико-технічний інститут НАН України, Донецьк, 2002.

Дисертацію присвячено молекулярно-динамічному (МД) моделюванню атомних переміщень у каскадах зіткнень, утворенню вакансій, міжвузлових і радіаційно-адсорбованих атомів в однокомпонентних Al, Ni, Cu та двошарових кристалах Al/Ni і Ni/Al, що описуються багаточастинковими атомними потенціалами, при бомбардуванні іонами Ar і Xe з енергіями 15-100 еВ і температурах 0 К – 750 К, а також використанню стабільного і квазістабільного МД методів для розрахунків параметрів моделей іонного перемішування (ІП) та радіаційно-прискореної дифузії (РПД) : коефіцієнтів розпилення та ІП, середньої швидкості дрейфу атомів віддачі, розподілу генерації вакансій і міжвузлових атомів по глибині кристала. Розраховуються пошарові профілі концентрації псевдомаркера (ІП і РПД) в Cu і Ni, а